فایل جزوه درس ادوات نیمه هادی 

فایل جزوه درس ادوات نیمه هادی

دانشجویان و کاربران گرامی در این بخش گروه علمی گوگل فایل فایل pdf جزوه درس ادوات نیمه هادی به صورت اسلاید  را آماده دانلود و استفاده شما عزیزان قرار داده است .این فایل شامل ۸۳ صفحه مطالب آموزنده و سودمند می باشد. در صورت تمایل می توانید این فایل ارزشمند را از فروشگاه سایت گوگل فایل خریداری و دانلود نمایید. امید است سودمند بوده و مورد استفاده شما عزیزان قرار گیرد. پس از ا تمام فرآیند خرید لینک فایل قابل مشاهده و دانلود می باشد و یک لینک هم به ایمیل شما ارسال خواهد شد.

فایل جزوه درس ادوات نیمه هادی 

مرجع : کتاب عملکرد و مدل سازی ترانزیستور MOS – انتشارات دانشگاه تهران ۱۳۷۸

نسخه جدید :  Operation and Modeling of the MOS transistor

MC Grow Hill 1999

قسمتی از متن فایل:

قابلیت حرکت در دمای ثابت بر حسب تراکم ناخالصی در داخل نیمه هادی:

با افزایش تراکم ناخالصی قابلیت حرکت کاهش می یابد
در سطح نیمه هادی ساز و کار پراکندگی ناشی از زبری سطح موجب می شود
در سطح نیمه هادی ، قابلیت حرکت کمتر از مقادیر حاصل از منحنی باشد.

پتانسیل اتصال:

انرژی حاملها در J1 با انرژی حاملها در J2 متفاوت است.
• هیچ گونه میدان الکتریکی مخالف وجود ندارد.
• مقدار افت پتانسیلی که در طول پیوند از J1 به

J2 اتفاق می افتد را پتانسیل اتصال ماده J1 نسبت به J2 مینامند و با Φj1,j2 نشان داده می شود.
• دانستن مفهوم پتانسیل اتصال به ما کمک می کند تا معادلات اساسی افزاره های MOS را بدون آنکه نیاز به استفاده از نوارهای انرژی داشته باشیم به دست آوریم.

Φj :پتانسیل اتصال بین ماده J و سیلیسیم ذاتی
مقادیر تقریبی پتانسیل اتصال مواد با سیلیسیم ذاتی بر حسب ولت

پتانسیل فرمیΦf: برای سیلیسیم غیر ذاتی پتانسیل اتصالی است که از پیوند میان
سیلیسیم ذاتی و غیر ذاتی تحت شرایط تعادل حرارتی بوجود می آید.
(پتانسبل نیمه هادی ذاتی نسبت به نیمه هادی غیر ذاتی)

مطالعه بیشتر